PlasmaStar 200/200 RIE 反应离子刻蚀系统 等离子刻蚀机

一、反应离子刻蚀机PlasmaStar 100仪器介绍

PlasmaSTAR®系列等离子处理系统适合处理所有的材料，拥有多种腔室和电极配置，可满足不同的等离子工艺和基片尺寸。占地面积小，用于各种等离子工艺的模块化腔室和电极配置。此外，触摸屏计算机控制，多级程序控制和组件控制，操作简单。PlasmaSTAR®模块化腔室和电极组件是该系统的功能。 腔室材料是硬质阳极氧化铝， 有几种不同的电极设计，包括用于反应离子刻蚀（RIE）和平面处理的水冷平板电极，用于表面清洗或处理的交替多层托盘电极，用于最小化离子损伤的下游电极，和用于普通的圆柱形笼式电极。
1、腔体尺寸：直径≥200mm，深度≥280mm；

2、腔体材质：硬质阳极氧化铝矩形腔体；

3、处理腔背面材质：铝；

4、处理腔门：要求全自动腔门；

5、两路工艺气体，≥2路质量流量控制器控制气体流量，气体输入腔室带匀流设计；

6、射频功率：0~600W连续可调，13.56MHz，自动匹配，自然风冷；

7、配备RIE平面水冷平板电极；

8、7英寸及以上显示器、触摸屏、图形用户界面；

9、程序控制：触摸屏电脑控制，无线程序存储；

10、Windows操作系统，兼容Windows office软件，USB接口，可进行外部电脑远程控制的功能；

11、状态和出错信息提示，过程数据和出错信息存储，可选择自动和手动操作模式，过程数据可以导出，工艺参数以图形方式呈现，可实时监控，自动实现泄露检测；

12、配套紧急急停按钮（EMO)，配套电路断路器，机械联锁（门传感器）和真空联锁（压力开关），通过软件可进行远程的真空联锁；

13、典型的光刻胶刻蚀速率：80nm/min；

14、典型工艺均匀性：≥±10%；